KIOXIA CM7-V Series KCMYXVUG12T8 - SSD
Ref : KCMYXVUG12T8
KIOXIA CM7-V Series KCMYXVUG12T8 - SSD - Enterprise, Mixed Use - 12800 Go - désinfection instantanée (SIE) - interne - 2.5" - PCI Express 5.0 (NVMe)
3 242,00 € HT
3 890,40 € TTC
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Coût de livraison : 6€ HT
Description
La série CM7-V de KIOXIA est un SSD à usage mixte optimisé pour prendre en charge un large éventail d'applications d'entreprise et de charges de travail associées, notamment le calcul haute performance, le traitement des transactions en ligne, l'IoT et l'edge computing, le streaming multimédia. Construits sur les technologies PCIe 5.0 et NVMe 2.0, les disques SSD de la série CM7 offrent d'excellentes performances.
Dotés de la mémoire flash KIOXIA BiCS Flash 3D TLC à 112 couches, les SSD NVMe d'entreprise de la série CM7-V offrent une endurance de 3 DWPD et prennent en charge de grandes capacités de stockage, ce qui les rend parfaitement adaptés aux applications d'entreprise à usage mixte en lecture et en écriture.
Dotés de la mémoire flash KIOXIA BiCS Flash 3D TLC à 112 couches, les SSD NVMe d'entreprise de la série CM7-V offrent une endurance de 3 DWPD et prennent en charge de grandes capacités de stockage, ce qui les rend parfaitement adaptés aux applications d'entreprise à usage mixte en lecture et en écriture.
🎯 Points clés
- Conforme aux spécifications PCIe 5.0 et NVMe 2.0
- Prise en charge de la spécification NVMe SSD v2.0 de l'Open Compute Project pour les centres de données
- Facteur de forme : 2,5 pouces, 15 mm d'épaisseur
- Architecture propriétaire KIOXIA : contrôleur, micrologiciel et BiCS FLASH 3D TLC à 112 couches
- Conforme à la norme SFF-TA-1001
- Conception à double port pour les applications à haute disponibilité
- Haute performance avec une consommation d'énergie réduite
- Protection contre les pertes de puissance (PLP) et protection des données de bout en bout
- Adapté aux charges de travail d'entreprise 24x7
Caractéristiques techniques
Fiche technique KIOXIA CM7
mfPn : KCMYXVUG12T8
Général
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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| Capacité | 12800 Go |
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| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
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| Format | 2.5" |
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| Interface | PCI Express 5.0 (NVMe) |
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| Caractéristiques | Sanitize Instant Erase (SIE), 112-layer 3D BiCS FLASH, Protection de perte de puissance (PLP), Online Transaction Processing (OLTP), NVMe 2.0 |
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| Largeur | 69.85 mm |
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| Profondeur | 100.45 mm |
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| Hauteur | 15 mm |
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| Poids | 130 g |
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Performances
| Écritures de lecteur par jour (DWPD) | 3 |
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| Classe d'entraînement | Enterprise, Mixed Use |
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| Débit de transfert interne | 14000 Mo/s (lecture) / 7000 Mo/s (écriture) |
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| Lecture aléatoire 4 Ko | 2400000 IOPS |
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| Écriture aléatoire 4 Ko | 550000 IOPS |
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Fiabilité
| Fiabilité MTBF | 2,500,000 heures |
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| Opération 24 h/24, 7 j/7 | Oui |
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Expansion et connectivité
| Interfaces | 1 x PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
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| Baie compatible | 2.5" |
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Alimentation
| Consommation électrique | 25 Watt (actif) ¦ 5 Watt (prêt) |
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Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
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Caractéristiques d’environnement
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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| Température maximale de fonctionnement | 73 °C |
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| Température de stockage mini | -40 °C |
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| Température de stockage maxi | 85 °C |
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| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95% RH |
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| Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 1000 g @ 0,5 ms |
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| Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | 2.17 g @ 5-800 Hz |
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