Samsung 990 PRO MZ
Ref : MZ-V9P1T0BW
Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW - SSD - chiffré - 1 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption 2.0
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Description
Atteignez les performances maximales de PCIe 4.0. Faites l'expérience d'une vitesse accrue et durable. Le contrôle intelligent de la chaleur du contrôleur interne offre une efficacité énergétique suprême tout en maintenant une vitesse et des performances féroces, pour que vous restiez toujours au sommet de votre jeu.
⚡ Fonctionnalités
- Vitesse PCIe 4.0 maximisée
Augmentation considérable de la vitesse, vitesses de lecture/écriture aléatoires plus rapides que celles de la 980 PRO. Volez haut dans les jeux, l'édition vidéo et 3D, l'analyse de données et bien plus encore. - Efficacité énergétique révolutionnaire
Des performances plus économes en énergie. Des performances plus élevées consomment généralement plus d'énergie. Le 990 PRO consomme moins d'énergie, avec des performances par watt jusqu'à 50 % supérieures à celles du 980 PRO. Cette conception à faible consommation permet d'obtenir des performances PCIe 4.0 maximales avec une efficacité énergétique optimale. - Solution thermique intelligente
La vitesse au-delà de la chaleur. Le contrôleur nickelé et l'algorithme de contrôle thermique de pointe gèrent la chaleur pour des performances inébranlables. L'étiquette de répartition de la chaleur contrôle la chaleur de la puce NAND, tandis que le Dynamic Thermal Guard maintient des températures optimales. - Le champion des performances
Une amélioration de plus de 55 % des performances aléatoires permet des chargements plus rapides pour un réalisme ultime sur les jeux PS5 et PC DirectStorage.
🎯 Points clés
- SSD NVMe Samsung alimenté par le contrôleur interne conçu par Samsung
- SSD économe en énergie, contrôle thermique fiable
Caractéristiques techniques
Fiche technique Samsung 990 PRO MZ
mfPn : MZ-V9P1T0BW
Général
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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| Capacité | 1 To |
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| Cryptage matériel | Oui |
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| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
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| Type de mémoire flash NAND | 3 bits par cellule (TLC) |
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| Format | M.2 2280 |
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| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
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| Caractéristiques | 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, mode veille, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVMe 2.0, S.M.A.R.T. |
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| Largeur | 22 mm |
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| Profondeur | 80 mm |
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| Hauteur | 2.3 mm |
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| Poids | 9 g |
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Performances
| Endurance SSD | 600 TB |
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| Débit de transfert du lecteur | 8 Go/s (externe) |
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| Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) |
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| Lecture aléatoire 4 Ko | 1200000 IOPS |
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| Écriture aléatoire 4 Ko | 1550000 IOPS |
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Fiabilité
| Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
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Expansion et connectivité
| Baie compatible | M.2 2280 |
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Alimentation
| Consommation électrique | 5.4 Watt (lecture) ¦ 5 Watt (écriture) ¦ 50 mW (inactif) ¦ 5 mW (mode L1.2) |
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Logiciels & Configuration requise
| Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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Divers
| Normes de conformité | IEEE 1667, FCC, UKCA, cRUus, VCCI, EAC |
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| Détails du paquet | Boîte |
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Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans/600 TBW |
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Caractéristiques d’environnement
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
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| Température de stockage mini | -40 °C |
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| Température de stockage maxi | 85 °C |
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| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95 % (sans condensation) |
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| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |
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| Tolérance aux vibrations (au repos) | 20 g @ 20-2000 Hz |
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