Samsung 990 PRO MZ
Ref : MZ-V9P4T0BW
Samsung 990 PRO MZ-V9P4T0BW - SSD - chiffré - 4 To - interne - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe) - AES 256 bits - TCG Opal Encryption
Fiche technique Samsung 990 PRO MZ
mfPn : MZ-V9P4T0BW
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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| Capacité | 4 To |
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| Cryptage matériel | Oui |
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| Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
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| Type de mémoire flash NAND | Cellule multiniveaux (MLC) |
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| Format | M.2 2280 |
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| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
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| Caractéristiques | Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, NVM Express (NVMe) 2.0, cache DDR4 SDRAM de 4 Go à faible consommation, prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, Support de mise en veille de l'appareil, Dynamic Thermal Guard protection, S.M.A.R.T. |
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| Largeur | 22 mm |
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| Profondeur | 80 mm |
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| Hauteur | 2.3 mm |
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| Poids | 9 g |
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| Débit de transfert interne | 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture) |
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| Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 1550000 IOPS |
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| Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1600000 IOPS |
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| Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
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| Interfaces | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
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| Baie compatible | M.2 2280 |
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| Consommation électrique | 5.5 Watt (moyenne) ¦ 55 mW (inactif) |
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| Logiciel(s) inclus | Samsung Magician Software |
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| Normes de conformité | IEEE 1667 |
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| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
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| Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine |
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| Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g |
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