Samsung 870 QVO MZ
Ref : MZ-77Q8T0BW
Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW - SSD - chiffré - 8 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s - mémoire tampon : 8 Go - AES 256 bits - TCG Opal Encryption
Recherche
Menu
Fiche technique Samsung 870 QVO MZ
mfPn : MZ-77Q8T0BW
Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
---|
Capacité | 8 To |
---|
Cryptage matériel | Oui |
---|
Algorithme de chiffrement | AES 256 bits |
---|
Type de mémoire flash NAND | Cellule à quatre niveaux (QLC) |
---|
Format | 2.5" |
---|
Interface | SATA 6Gb/s |
---|
Taille de la mémoire tampon | 8 Go |
---|
Caractéristiques | Prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, mode veille, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung MKX Controller, S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667 |
---|
Largeur | 69.85 mm |
---|
Profondeur | 100 mm |
---|
Hauteur | 6.8 mm |
---|
Poids | 57 g |
---|
Endurance SSD | 2.88 PB |
---|
Débit de transfert interne | 560 Mo/s (lecture) / 530 Mo/s (écriture) |
---|
Lecture aléatoire 4 Ko | 11000 IOPS |
---|
Écriture aléatoire 4 Ko | 35000 IOPS |
---|
Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 88000 IOPS |
---|
Lecture aléatoire maximale 4 ko | 98000 IOPS |
---|
Fiabilité MTBF | 1,500,000 heures |
---|
Interfaces | 1 x SATA 6 Gb/s - ATA série de 7 broches |
---|
Baie compatible | 2.5" |
---|
Consommation électrique | 3.3 Watt (moyenne) ¦ 5.5 Watt (maximum) ¦ 0.045 Watt (inactif) |
---|
Service et maintenance | Garantie limitée - 3 ans |
---|
Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
---|
Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
---|
Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 0.5 ms half-sine |
---|
Résistance aux chocs (au repos) | 1500 g @ 0,5 ms |
---|
Micron 5400 PRO - SSD - 3.84 To - interne - 2.5" - SATA 6Gb/s
Menu
Recherche
Êtes-vous sûr de vouloir effectuer cette action ?