KIOXIA CD8-V Series KCD8XVUG6T40 - SSD
Ref : KCD8XVUG6T40
KIOXIA CD8-V Series KCD8XVUG6T40 - SSD - Mixed Use - 6400 Go - SSD de centre de données - interne - 2.5" - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
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Description
La série CD8-V est un SSD NVMe pour centre de données à usage mixte, optimisé pour prendre en charge une large gamme d'applications scale-out et cloud, notamment le big data/IoT, le traitement des transactions en ligne et la virtualisation. Construits avec une interface PCIe 4.0 (16 GT/s x4), les disques SSD de la série CD8-V offrent des performances constantes en IOPS (lecture aléatoire) et 380K IOPS (écriture aléatoire).
Dotés de la mémoire flash KIOXIA BiCS FLASH 3D TLC à 112 couches, les disques SSD CD8-V à facteur de forme 2,5 pouces offrent une endurance de 3 DWPD (Drive Writes Per Day) et de grandes capacités de stockage dans un facteur de forme 2,5 pouces, ce qui les rend bien adaptés aux applications de centres de données à grande échelle.
Dotés de la mémoire flash KIOXIA BiCS FLASH 3D TLC à 112 couches, les disques SSD CD8-V à facteur de forme 2,5 pouces offrent une endurance de 3 DWPD (Drive Writes Per Day) et de grandes capacités de stockage dans un facteur de forme 2,5 pouces, ce qui les rend bien adaptés aux applications de centres de données à grande échelle.
🎯 Points clés
- Conforme aux spécifications PCIe 4.0 et NVMe 1.4
- Prise en charge de la spécification NVMe SSD v2.0 de l'Open Compute Project Datacenter (pas toutes les exigences)
- Facteur de forme - 2,5 pouces, 15 mm de hauteur
- Architecture propriétaire KIOXIA - contrôleur, micrologiciel et BiCS FLASH 3D TLC à 112 couches
- Conception à port unique, optimisée pour les charges de travail des centres de données
- Performances et fiabilité constantes pour les environnements exigeants 24x7
- Conçu pour les déploiements de stockage à haute densité
- Protection contre les pertes de puissance (PLP) et correction des données de bout en bout
Caractéristiques techniques
Fiche technique KIOXIA CD8
mfPn : KCD8XVUG6T40
Général
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
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| Capacité | 6400 Go |
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| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
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| Format | 2.5" |
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| Interface | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
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| Caractéristiques | 112-layer 3D BiCS FLASH, Sanitize Instant Erase (SIE), protection de perte de puissance des données, protection des données de bout en bout |
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| Largeur | 69.85 mm |
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| Profondeur | 100.45 mm |
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| Hauteur | 15 mm |
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| Poids | 130 g |
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Performances
| Écritures de lecteur par jour (DWPD) | 3 |
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| Classe d'entraînement | Mixed Use |
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| Débit de transfert interne | 7100 Mo/s (lecture) / 6000 Mo/s (écriture) |
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| Écriture aléatoire 4 Ko maximum | 380000 IOPS |
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| Lecture aléatoire maximale 4 ko | 1150000 IOPS |
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Fiabilité
| Fiabilité MTBF | 2500000 heures |
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| Opération 24 h/24, 7 j/7 | Oui |
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Expansion et connectivité
| Interfaces | 1 x PCI Express 4.0 (NVMe1.4) |
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| Baie compatible | 2.5" |
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Alimentation
| Consommation électrique | 19 Watt (actif (typique)) ¦ 5 Watt (inactif) |
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Garantie du fabricant
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
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Caractéristiques d’environnement
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
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| Température maximale de fonctionnement | 75 °C |
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| Température de stockage mini | -40 °C |
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| Température de stockage maxi | 85 °C |
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| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95% RH |
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| Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 1000 g @ 0,5 ms |
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| Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | 2.17 gRMS @ 5-800 Hz |
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