SanDisk Optimus 5100
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Le SanDisk Optimus 5100 est un disque dur interne M.2 2280 conçu pour répondre aux besoins de stockage haute performance. D'une capacité de 1 To, il offre un espace de stockage généreux pour les applications et les données, tout en tirant parti de la technologie PCI Express 4.0 x4 (NVMe) pour des vitesses de transfert de données rapides pouvant atteindre 7 100 Mo/s en lecture et 6 700 Mo/s en écriture. La mémoire flash NAND 3D QLC (Quad-Level Cell) avancée améliore la durabilité tout en offrant des vitesses élevées, grâce à des fonctionnalités telles que la technologie nCache 4.0 et le tampon de mémoire hôte (HMB).
Ce disque SSD est conçu pour la robustesse, avec un MTBF de 1 750 000 heures et une endurance de 600 To. Son fonctionnement dans une plage de température comprise entre 0 °C et 85 °C garantit sa fiabilité dans divers environnements. Avec une résistance aux chocs de 1 500 g et une bonne résistance aux vibrations, il est adapté aux applications et environnements exigeants, ce qui en fait un choix fiable pour les utilisateurs ayant besoin de performances constantes et d'une longue durée de vie.

Fonctionnalites

  • Performances optimales
    Bénéficiez de vitesses accrues grâce à un débit interne de 7 100 Mo/s en lecture et de 6 700 Mo/s en écriture, garantissant des transferts de fichiers rapides et une grande réactivité du système.
  • Endurance fiable
    Avec une endurance de 600 To, ce disque SSD est conçu pour gérer des charges de travail élevées et maintenir ses performances au fil du temps.
  • Une fiabilité à toute épreuve
    Conçu pour résister à des conditions extrêmes, le disque fonctionne à des températures comprises entre 0 °C et 85 °C et supporte une résistance aux chocs de 1 500 g.
  • Technologie de pointe
    Équipé des technologies BiCS QLC 3D CBA NAND et nCache 4.0 de Sandisk, ce disque garantit une gestion et un stockage efficaces des données.

Points cles

  • Capacité de 1 To pour un espace de stockage généreux
  • Vitesse de lecture pouvant atteindre 7 100 Mo/s et vitesse d'écriture pouvant atteindre 6 700 Mo/s
  • Conçue avec la technologie avancée 3D QLC NAND
  • Endurance de 600 To pour une longue durée de vie
  • Résistance aux chocs et aux vibrations pour des performances durables
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